SI4104DY-T1-GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 3.2 A, Vds=100 V, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 710-3314
- 制造商零件编号:
- SI4104DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB7.10 | RMB35.50 |
| 25 - 95 | RMB6.00 | RMB30.00 |
| 100 - 245 | RMB5.20 | RMB26.00 |
| 250 - 495 | RMB4.60 | RMB23.00 |
| 500 + | RMB4.10 | RMB20.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 710-3314
- 制造商零件编号:
- SI4104DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3.2 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 105 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.5 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 10 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 9 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 446 pF @ 50 V | |
| 宽度 | 4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.55mm | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.55mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3.2 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 105 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 8.5 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 10 ns | ||
典型接通延迟时间 9 ns | ||
典型输入电容值@Vds 446 pF @ 50 V | ||
宽度 4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.55mm | ||
尺寸 5 x 4 x 1.55mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN