SI4500BDY-T1-E3, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, Vds=20 V, 8针 SOIC封装

品牌

Vishay

通道类型

N，P

最大连续漏极电流

3.8 A，6.6 A

最大漏源电压

20 V

最大漏源电阻值

20 mΩ、60 mΩ

最小栅阈值电压

0.6V

最大栅源电压

-12 V、+12 V

封装类型

SOIC

安装类型

表面贴装

引脚数目

8

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

1.3 W

最高工作温度

+150 °C

尺寸

5 x 4 x 1.55mm

典型接通延迟时间

20 ns，35 ns

典型关断延迟时间

31 ns、55 ns

典型栅极电荷@Vgs

11 nC @ 4.5 V，6 nC @ 4.5 V

长度

5mm

每片芯片元件数目

2

最低工作温度

-55 °C

宽度

4mm

高度

1.55mm