SI4910DY-T1-E3, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 6 A, Vds=40 V, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 710-3361P
- 制造商零件编号:
- SI4910DY-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 95 | RMB5.744 |
| 100 - 245 | RMB5.242 |
| 250 - 495 | RMB4.992 |
| 500 + | RMB4.758 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 710-3361P
- 制造商零件编号:
- SI4910DY-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 6 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 27 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns, 12 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 22 ns，24 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 855 pF @ 20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21 nC @ 10 V，9.6 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 6 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 27 mΩ | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2 W | ||
典型接通延迟时间 6 ns, 12 ns | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 4mm | ||
尺寸 5 x 4 x 1.5mm | ||
长度 5mm | ||
高度 1.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型关断延迟时间 22 ns，24 ns | ||
典型输入电容值@Vds 855 pF @ 20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V，9.6 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- TW