SI4906DY-T1-E3, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 5.3 A, Vds=40 V, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 710-3367
- 制造商零件编号:
- SI4906DY-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB31.60
(不含税)
RMB35.70
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB6.32 | RMB31.60 |
| 25 - 95 | RMB5.246 | RMB26.23 |
| 100 - 245 | RMB4.712 | RMB23.56 |
| 250 - 495 | RMB4.488 | RMB22.44 |
| 500 + | RMB3.392 | RMB16.96 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 710-3367
- 制造商零件编号:
- SI4906DY-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5.3 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 39 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14.4 nC @ 10 V，6.6 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -50 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 9 ns, 13 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型输入电容值@Vds | 625 pF @ 20 V | |
| 典型关断延迟时间 | 17 ns，21 ns | |
| 宽度 | 4mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5.3 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 39 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.8V | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 14.4 nC @ 10 V，6.6 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -50 °C | ||
典型接通延迟时间 9 ns, 13 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型输入电容值@Vds 625 pF @ 20 V | ||
典型关断延迟时间 17 ns，21 ns | ||
宽度 4mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.5mm | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 4 x 1.5mm | ||