SI7309DN-T1-E3 , P沟道 MOSFET 晶体管, 3.9 A, Vds=60 V, 8针 PowerPAK 1212封装
- RS 库存编号:
- 710-3386
- 制造商零件编号:
- SI7309DN-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB4.756 | RMB23.78 |
| 25 - 95 | RMB4.53 | RMB22.65 |
| 100 - 245 | RMB4.314 | RMB21.57 |
| 250 - 495 | RMB4.108 | RMB20.54 |
| 500 + | RMB3.912 | RMB19.56 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 710-3386
- 制造商零件编号:
- SI7309DN-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.9 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 115 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PowerPAK 1212 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 3.2 瓦 | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns, 25 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14.5 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 600 pF@ 30 V | |
| 典型关断延迟时间 | 30 ns, 33 ns | |
| 宽度 | 3.05mm | |
| 尺寸 | 3.05 x 3.05 x 1.04mm | |
| 长度 | 3.05mm | |
| 高度 | 1.04mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3.9 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 115 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PowerPAK 1212 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 3.2 瓦 | ||
典型接通延迟时间 10 ns, 25 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 14.5 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 600 pF@ 30 V | ||
典型关断延迟时间 30 ns, 33 ns | ||
宽度 3.05mm | ||
尺寸 3.05 x 3.05 x 1.04mm | ||
长度 3.05mm | ||
高度 1.04mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN