SI2319DS-T1-E3 , P沟道 MOSFET 晶体管, 2.3 A, Vds=40 V, 3针 SOT-23，TO-236封装
- RS 库存编号:
- 710-4689
- 制造商零件编号:
- SI2319DS-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB3.16 | RMB31.60 |
| 50 - 90 | RMB2.624 | RMB26.24 |
| 100 - 240 | RMB2.40 | RMB24.00 |
| 250 - 490 | RMB2.192 | RMB21.92 |
| 500 + | RMB2.048 | RMB20.48 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 710-4689
- 制造商零件编号:
- SI2319DS-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 2.3 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 82 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 750 mW | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11.3 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 470 pF @ 20 V | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.02mm | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 25 ns | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 2.3 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 82 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 750 mW | ||
典型栅极电荷@Vgs 11.3 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 470 pF @ 20 V | ||
长度 3.04mm | ||
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm | ||
高度 1.02mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 7 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型关断延迟时间 25 ns | ||
宽度 1.4mm | ||