SI7850DP-T1-E3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 6.2 A, Vds=60 V, 8针 PowerPAK SO封装
- RS 库存编号:
- 710-4764
- 制造商零件编号:
- SI7850DP-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB10.82 | RMB54.10 |
| 25 - 95 | RMB8.63 | RMB43.15 |
| 100 - 245 | RMB7.55 | RMB37.75 |
| 250 - 495 | RMB6.622 | RMB33.11 |
| 500 + | RMB5.874 | RMB29.37 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 710-4764
- 制造商零件编号:
- SI7850DP-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.2 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 系列 | Si7850DP | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18 | |
| 最大功耗 Pd | 1.8 | |
| 正向电压 Vf | 1.2 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 4.9 | |
| 宽度 | 5.89 | |
| 高度 | 1.04 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6.2 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
系列 Si7850DP | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18 | ||
最大功耗 Pd 1.8 | ||
正向电压 Vf 1.2 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最高工作温度 150 | ||
标准/认证 No | ||
长度 4.9 | ||
宽度 5.89 | ||
高度 1.04 | ||
汽车标准 否 | ||