IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK26N120P, 26 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-264封装
- RS 库存编号:
- 711-5360
- 制造商零件编号:
- IXFK26N120P
- 制造商:
- IXYS
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB156.11
(不含税)
RMB176.40
(含税)
有库存
- 另外 13 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 1 | RMB156.11 |
| 2 - 4 | RMB148.68 |
| 5 - 9 | RMB138.66 |
| 10 - 19 | RMB130.07 |
| 20 + | RMB123.88 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 711-5360
- 制造商零件编号:
- IXFK26N120P
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 26 | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200 | |
| 系列 | HiperFET, Polar | |
| 包装类型 | TO-264 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.5 | |
| 最大功耗 Pd | 960 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 225 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 长度 | 19.96 | |
| 高度 | 26.16 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5.13 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 26 | ||
最大漏源电压 Vd 1200 | ||
系列 HiperFET, Polar | ||
包装类型 TO-264 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.5 | ||
最大功耗 Pd 960 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 225 | ||
最高工作温度 150 | ||
长度 19.96 | ||
高度 26.16 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5.13 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- US