IXFL32N120P , N沟道 MOSFET 晶体管, 24 A, Vds=1200 V, 3针 ISOPLUS-I5-PAK封装
- RS 库存编号:
- 711-5424
- 制造商零件编号:
- IXFL32N120P
- 制造商:
- IXYS
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小计（1 件）*
RMB371.20
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RMB419.46
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 1 | RMB371.20 |
| 2 - 4 | RMB289.60 |
| 5 - 9 | RMB260.00 |
| 10 - 19 | RMB245.22 |
| 20 + | RMB233.54 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 711-5424
- 制造商零件编号:
- IXFL32N120P
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 24 A | |
| 最大漏源电压 | 1200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 340 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 6.5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | ISOPLUS-I5-PAK | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 520 W | |
| 长度 | 20.29mm | |
| 尺寸 | 20.29 x 5.21 x 26.42mm | |
| 典型接通延迟时间 | 70 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 360 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 21000 pF@ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 88 ns | |
| 宽度 | 5.21mm | |
| 高度 | 26.42mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 系列 | HiperFET, Polar | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 24 A | ||
最大漏源电压 1200 V | ||
最大漏源电阻值 340 mΩ | ||
最大栅阈值电压 6.5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 ISOPLUS-I5-PAK | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 520 W | ||
长度 20.29mm | ||
尺寸 20.29 x 5.21 x 26.42mm | ||
典型接通延迟时间 70 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 360 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 21000 pF@ 25 V | ||
典型关断延迟时间 88 ns | ||
宽度 5.21mm | ||
高度 26.42mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
系列 HiperFET, Polar | ||