STP7NK80ZFP , N沟道 MOSFET 晶体管, 5.2 A, Vds=800 V, 3针 TO-220FP封装

品牌

STMicroelectronics

通道类型

N

最大连续漏极电流

5.2 A

最大漏源电压

800 V

最大漏源电阻值

1.8 Ω

最大栅阈值电压

4.5V

最小栅阈值电压

3V

最大栅源电压

-30 V、+30 V

封装类型

TO-220FP

安装类型

通孔

引脚数目

3

晶体管配置

单

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

30 W

系列

MDmesh, SuperMESH

最高工作温度

+150 °C

高度

9.3mm

典型接通延迟时间

20 ns

宽度

4.6mm

晶体管材料

Si

尺寸

10.4 x 4.6 x 9.3mm

长度

10.4mm

每片芯片元件数目

1

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

40 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds

1138 pF@ 25 V

典型关断延迟时间

45 ns