STP11NK40ZFP , N沟道 MOSFET 晶体管, 9 A, Vds=400 V, 3针 TO-220FP封装
- RS 库存编号:
- 714-6787
- 制造商零件编号:
- STP11NK40ZFP
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB52.21
(不含税)
RMB58.995
(含税)
有库存
- 另外 110 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB10.442 | RMB52.21 |
| 25 - 45 | RMB8.252 | RMB41.26 |
| 50 - 95 | RMB7.434 | RMB37.17 |
| 100 - 245 | RMB6.498 | RMB32.49 |
| 250 + | RMB5.912 | RMB29.56 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 714-6787
- 制造商零件编号:
- STP11NK40ZFP
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 9 A | |
| 最大漏源电压 | 400 V | |
| 最大漏源电阻值 | 550 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-220FP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 30 W | |
| 尺寸 | 10.4 x 4.6 x 9.3mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | MDmesh, SuperMESH | |
| 高度 | 9.3mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型输入电容值@Vds | 930 pF@ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 40 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 9 A | ||
最大漏源电压 400 V | ||
最大漏源电阻值 550 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-220FP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 30 W | ||
尺寸 10.4 x 4.6 x 9.3mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 MDmesh, SuperMESH | ||
高度 9.3mm | ||
长度 10.4mm | ||
宽度 4.6mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型输入电容值@Vds 930 pF@ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V | ||
典型关断延迟时间 40 ns | ||
典型接通延迟时间 20 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
豁免