STY80NM60N , N沟道 MOSFET 晶体管, 74 A, Vds=600 V, 3针 Max247封装
- RS 库存编号:
- 714-6803
- 制造商零件编号:
- STY80NM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB79.40 |
| 10 - 19 | RMB78.90 |
| 20 - 49 | RMB78.50 |
| 50 - 99 | RMB69.20 |
| 100 + | RMB65.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 714-6803
- 制造商零件编号:
- STY80NM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 74 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 35 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | Max247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 447 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 10100 pF@ 50 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 440 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 360 nC @ 10 V | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 尺寸 | 15.9 x 5.3 x 20.3mm | |
| 系列 | MDmesh | |
| 宽度 | 5.3mm | |
| 典型接通延迟时间 | 50 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 20.3mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 74 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 35 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 Max247 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 447 W | ||
典型输入电容值@Vds 10100 pF@ 50 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 440 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 360 nC @ 10 V | ||
长度 15.9mm | ||
尺寸 15.9 x 5.3 x 20.3mm | ||
系列 MDmesh | ||
宽度 5.3mm | ||
典型接通延迟时间 50 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 20.3mm | ||