FC6943010R, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 0.1 A, Vds=30 V, 6针 SSMini6 F3 B封装
- RS 库存编号:
- 715-9657P
- 制造商零件编号:
- FC6943010R
- 制造商:
- Panasonic
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
RMB73.95
(不含税)
RMB83.55
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB1.479 |
| 100 - 190 | RMB0.993 |
| 200 - 490 | RMB0.973 |
| 500 + | RMB0.953 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 715-9657P
- 制造商零件编号:
- FC6943010R
- 制造商:
- Panasonic
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Panasonic | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 100 mA | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 6 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | SSMini6 F3 B | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 125 mW | |
| 尺寸 | 1.6 x 1.2 x 0.5mm | |
| 宽度 | 1.2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 100 nS | |
| 典型输入电容值@Vds | 12 pF@ 3 V | |
| 典型关断延迟时间 | 100 nS | |
| 高度 | 0.5mm | |
| 长度 | 1.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | FC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Panasonic | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 100 mA | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 6 Ω | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 SSMini6 F3 B | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 125 mW | ||
尺寸 1.6 x 1.2 x 0.5mm | ||
宽度 1.2mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 100 nS | ||
典型输入电容值@Vds 12 pF@ 3 V | ||
典型关断延迟时间 100 nS | ||
高度 0.5mm | ||
长度 1.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 FC | ||
- COO (Country of Origin):
- CN