IRF6668TR1PBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 55 A, Vds=80 V, 5针 DirectFET MZ封装
- RS 库存编号:
- 716-5375P
- 制造商零件编号:
- IRF6668TR1PBF
- 制造商:
- International Rectifier
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 18 | RMB12.40 |
| 20 - 38 | RMB11.12 |
| 40 - 98 | RMB10.10 |
| 100 + | RMB8.88 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 716-5375P
- 制造商零件编号:
- IRF6668TR1PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 55 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 最大漏源电阻值 | 15 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DirectFET MZ | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 89 W | |
| 宽度 | 5.05mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 1320 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 尺寸 | 6.35 x 5.05 x 0.676mm | |
| 典型关断延迟时间 | 7.1 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 19 ns | |
| 高度 | 0.676mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.35mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 55 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
最大漏源电阻值 15 mΩ | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DirectFET MZ | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 5 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 89 W | ||
宽度 5.05mm | ||
典型输入电容值@Vds 1320 pF @ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
尺寸 6.35 x 5.05 x 0.676mm | ||
典型关断延迟时间 7.1 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 19 ns | ||
高度 0.676mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.35mm | ||