IRF7769L2TR1PBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 124 A, Vds=100 V, 11针 DirectFET L8封装

品牌

International Rectifier

通道类型

N

最大连续漏极电流

124 A

最大漏源电压

100 V

最大漏源电阻值

3.5 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

DirectFET L8

安装类型

表面贴装

引脚数目

11

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

125 W

典型输入电容值@Vds

11560 pF @ 25 V

典型关断延迟时间

92 ns

宽度

7.1mm

尺寸

9.15 x 7.1 x 0.676mm

长度

9.15mm

最高工作温度

+175 °C

每片芯片元件数目

1

典型接通延迟时间

44 ns

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

200 nC @ 10 V

高度

0.676mm