IRF7779L2TR1PBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 375 A, Vds=150 V, 11针 DirectFET L8封装
- RS 库存编号:
- 716-5393P
- 制造商零件编号:
- IRF7779L2TR1PBF
- 制造商:
- International Rectifier
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 9 | RMB35.74 |
| 10 - 19 | RMB24.79 |
| 20 - 49 | RMB24.78 |
| 50 + | RMB24.77 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 716-5393P
- 制造商零件编号:
- IRF7779L2TR1PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 375 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 11 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DirectFET L8 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 11 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 长度 | 9.15mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 尺寸 | 9.15 x 7.1 x 0.7mm | |
| 宽度 | 7.1mm | |
| 典型关断延迟时间 | 36 ns | |
| 高度 | 0.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 6660 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 97 nC @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 375 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
最大漏源电阻值 11 mΩ | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DirectFET L8 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 11 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 125 W | ||
长度 9.15mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
尺寸 9.15 x 7.1 x 0.7mm | ||
宽度 7.1mm | ||
典型关断延迟时间 36 ns | ||
高度 0.7mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 16 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 6660 pF @ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 97 nC @ 10 V | ||