IRF7907PBF, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, Vds=30 V, 8针 SO-8封装
- RS 库存编号:
- 716-5520
- 制造商零件编号:
- IRF7907PBF
- 制造商:
- International Rectifier
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB39.39
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB7.878 | RMB39.39 |
| 25 - 45 | RMB4.442 | RMB22.21 |
| 50 - 95 | RMB4.354 | RMB21.77 |
| 100 - 245 | RMB3.742 | RMB18.71 |
| 250 + | RMB3.668 | RMB18.34 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 716-5520
- 制造商零件编号:
- IRF7907PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 9.1 A，11 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 13.7 mΩ，20.5 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 典型关断延迟时间 | 8 ns, 13 ns | |
| 系列 | HEXFET | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 4.5 V，6.7 nC @ 4.5 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns，8 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 1790 pF@ 15 V, 850 pF@ 15 V | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 9.1 A，11 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 13.7 mΩ，20.5 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.35V | ||
最小栅阈值电压 1.35V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2 W | ||
典型关断延迟时间 8 ns, 13 ns | ||
系列 HEXFET | ||
高度 1.5mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V，6.7 nC @ 4.5 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 4mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 6 ns，8 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 1790 pF@ 15 V, 850 pF@ 15 V | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 4 x 1.5mm | ||