NDD02N60Z-1G , N沟道 MOSFET 晶体管, 2.4 A, Vds=600 V, 3针 IPAK封装
- RS 库存编号:
- 719-2777
- 制造商零件编号:
- NDD02N60Z-1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB21.84
(不含税)
RMB24.68
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB4.368 | RMB21.84 |
| 50 - 120 | RMB3.234 | RMB16.17 |
| 125 - 245 | RMB2.376 | RMB11.88 |
| 250 - 495 | RMB2.36 | RMB11.80 |
| 500 + | RMB2.10 | RMB10.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 719-2777
- 制造商零件编号:
- NDD02N60Z-1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2.4 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4.8 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 最大栅源电压 | +30 V | |
| 封装类型 | IPAK (TO-251) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 57 W | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 2.38 x 7.62mm | |
| 典型关断延迟时间 | 15 ns | |
| 高度 | 7.62mm | |
| 宽度 | 2.38mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 9 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 274 pF@ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2.4 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 4.8 Ω | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
最大栅源电压 +30 V | ||
封装类型 IPAK (TO-251) | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 57 W | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.73mm | ||
尺寸 6.73 x 2.38 x 7.62mm | ||
典型关断延迟时间 15 ns | ||
高度 7.62mm | ||
宽度 2.38mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 9 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 274 pF@ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V | ||