NDF04N62ZG , N沟道 MOSFET 晶体管, 4.4 A, Vds=620 V, 3针 TO-220FP封装
- RS 库存编号:
- 719-2812
- 制造商零件编号:
- NDF04N62ZG
- 制造商:
- ON Semiconductor
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RMB9.57
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB4.785 | RMB9.57 |
| 20 - 48 | RMB3.885 | RMB7.77 |
| 50 - 98 | RMB3.70 | RMB7.40 |
| 100 - 198 | RMB2.51 | RMB5.02 |
| 200 + | RMB2.50 | RMB5.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 719-2812
- 制造商零件编号:
- NDF04N62ZG
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4.4 A | |
| 最大漏源电压 | 620 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-220FP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 96 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 10.63mm | |
| 尺寸 | 10.63 x 4.9 x 16.12mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 535 pF @ 25 V | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 25 ns | |
| 高度 | 16.12mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 4.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4.4 A | ||
最大漏源电压 620 V | ||
最大漏源电阻值 2 Ω | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-220FP | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 96 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 10.63mm | ||
尺寸 10.63 x 4.9 x 16.12mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 535 pF @ 25 V | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 25 ns | ||
高度 16.12mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 4.9mm | ||