NDF10N62ZG , N沟道 MOSFET 晶体管, 10 A, Vds=620 V, 3针 TO-220FP封装

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RS 库存编号:
719-2831
制造商零件编号:
NDF10N62ZG
制造商:
ON Semiconductor
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品牌

ON Semiconductor

通道类型

N

最大连续漏极电流

10 A

最大漏源电压

620 V

最大漏源电阻值

750 mΩ

最大栅源电压

-30 V、+30 V

封装类型

TO-220FP

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

36 W

典型关断延迟时间

40 ns

典型输入电容值@Vds

1425 pF @ 25 V

典型栅极电荷@Vgs

47 nC @ 10 V

最低工作温度

-55 °C

典型接通延迟时间

15 ns

每片芯片元件数目

1

宽度

4.9mm

尺寸

10.63 x 4.9 x 16.12mm

高度

16.12mm

长度

10.63mm

最高工作温度

+150 °C