NTB6412ANT4G , N沟道 MOSFET 晶体管, 58 A, Vds=100 V, 4针 D2PAK封装
- RS 库存编号:
- 719-2869P
- 制造商零件编号:
- NTB6412ANT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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RMB251.40
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 48 | RMB11.12 |
| 50 - 98 | RMB10.585 |
| 100 - 198 | RMB8.91 |
| 200 + | RMB8.48 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 719-2869P
- 制造商零件编号:
- NTB6412ANT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 58 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 18.2 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 167 W | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.29mm | |
| 尺寸 | 10.29 x 9.65 x 4.83mm | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13.5 nC V @ 10 | |
| 典型关断延迟时间 | 70 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 2700 pF V @ 25 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 58 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 18.2 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 D2PAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 4 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 167 W | ||
高度 4.83mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.29mm | ||
尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm | ||
宽度 9.65mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 16 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 13.5 nC V @ 10 | ||
典型关断延迟时间 70 ns | ||
典型输入电容值@Vds 2700 pF V @ 25 | ||