NTD5865N-1G , N沟道 MOSFET 晶体管, 38 A, Vds=60 V, 4针 IPAK封装
- RS 库存编号:
- 719-2897
- 制造商零件编号:
- NTD5865N-1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB17.08
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RMB19.30
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB3.416 | RMB17.08 |
| 10 - 15 | RMB2.932 | RMB14.66 |
| 20 - 45 | RMB2.792 | RMB13.96 |
| 50 - 95 | RMB2.66 | RMB13.30 |
| 100 + | RMB1.888 | RMB9.44 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 719-2897
- 制造商零件编号:
- NTD5865N-1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 38 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 18 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | IPAK | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 52 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 1261 pF@ 25 V | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 典型关断延迟时间 | 20 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 38 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 18 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 IPAK | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 52 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6.22mm | ||
典型输入电容值@Vds 1261 pF@ 25 V | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.73mm | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm | ||
高度 2.38mm | ||
典型关断延迟时间 20 ns | ||