NTD5867NL-1G , N沟道 MOSFET 晶体管, 20 A, Vds=60 V, 3针 IPAK封装

品牌

ON Semiconductor

通道类型

N

最大连续漏极电流

20 A

最大漏源电压

60 V

最大漏源电阻值

50 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

IPAK

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

36 W

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

15 nC @ 10 V

典型关断延迟时间

18.2 ns

典型输入电容值@Vds

675 pF @ 25 V

每片芯片元件数目

1

典型接通延迟时间

6.5 ns

高度

7.62mm

最高工作温度

+150 °C

长度

6.73mm

尺寸

6.73 x 2.38 x 7.62mm

宽度

2.38mm