NTD6414AN-1G , N沟道 MOSFET 晶体管, 32 A, Vds=100 V, 3针 IPAK封装

品牌

ON Semiconductor

通道类型

N

最大连续漏极电流

32 A

最大漏源电压

100 V

最大漏源电阻值

37 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

IPAK

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

100 W

典型接通延迟时间

11 ns

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

40 nC @ 10 V

典型关断延迟时间

38 ns

宽度

2.38mm

尺寸

6.73 x 2.38 x 7.62mm

每片芯片元件数目

1

典型输入电容值@Vds

1450 pF @ 25 V

长度

6.73mm

高度

7.62mm

最高工作温度

+175 °C