NTD6415AN-1G , N沟道 MOSFET 晶体管, 23 A, Vds=100 V, 3针 IPAK封装
- RS 库存编号:
- 719-2917
- 制造商零件编号:
- NTD6415AN-1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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RMB14.01
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB7.005 | RMB14.01 |
| 10 - 18 | RMB5.89 | RMB11.78 |
| 20 - 48 | RMB5.61 | RMB11.22 |
| 50 - 98 | RMB5.32 | RMB10.64 |
| 100 + | RMB4.31 | RMB8.62 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 719-2917
- 制造商零件编号:
- NTD6415AN-1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 23 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 55 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | IPAK (TO-251) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 83 W | |
| 典型关断延迟时间 | 30 ns | |
| 尺寸 | 6.73 x 2.38 x 7.62mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 700 pF@ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 2.38mm | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 7.62mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 23 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 55 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 IPAK (TO-251) | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 83 W | ||
典型关断延迟时间 30 ns | ||
尺寸 6.73 x 2.38 x 7.62mm | ||
典型输入电容值@Vds 700 pF@ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 29 nC @ 10 V | ||
宽度 2.38mm | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 6.73mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 7.62mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||