onsemi N沟道增强型MOSFET管, Vds=100 V, 23 A, D-PAK, 贴片安装, 3引脚, NTD6415ANT4G
- RS 库存编号:
- 719-2926P
- 制造商零件编号:
- NTD6415ANT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计 10 件 (按连续条带形式提供)*
RMB64.00
(不含税)
RMB72.30
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 18 | RMB6.40 |
| 20 - 48 | RMB5.67 |
| 50 - 98 | RMB5.02 |
| 100 + | RMB4.46 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 719-2926P
- 制造商零件编号:
- NTD6415ANT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 23 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | D-PAK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 55 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 83 W | |
| 最大栅源电压 | -20 V, +20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 23 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 D-PAK | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 55 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 83 W | ||
最大栅源电压 -20 V, +20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 29 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6.22mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 6.73mm | ||
高度 2.38mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||