NTTFS5811NLTWG , N沟道 MOSFET 晶体管, 17 A, Vds=40 V, 8针 WDFN-8封装
- RS 库存编号:
- 719-2991
- 制造商零件编号:
- NTTFS5811NLTWG
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB20.66
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RMB23.345
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB4.132 | RMB20.66 |
| 10 - 15 | RMB3.354 | RMB16.77 |
| 20 - 45 | RMB3.288 | RMB16.44 |
| 50 - 95 | RMB3.222 | RMB16.11 |
| 100 + | RMB2.16 | RMB10.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 719-2991
- 制造商零件编号:
- NTTFS5811NLTWG
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 17 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 10 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | WDFN | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.7 W | |
| 典型关断延迟时间 | 21 ns | |
| 长度 | 3.15mm | |
| 尺寸 | 3.15 x 3.15 x 0.8mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 1570 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.15mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 17 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 10 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 WDFN | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.7 W | ||
典型关断延迟时间 21 ns | ||
长度 3.15mm | ||
尺寸 3.15 x 3.15 x 0.8mm | ||
典型输入电容值@Vds 1570 pF @ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 11 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.15mm | ||
高度 0.8mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||