PMV213SN,215 N-Channel MOSFET, 1.9 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia
- RS 库存编号:
- 725-8326
- 制造商零件编号:
- PMV213SN,215
- 制造商:
- NXP
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB2.272 | RMB45.44 |
| 100 - 180 | RMB1.706 | RMB34.12 |
| 200 - 380 | RMB1.672 | RMB33.44 |
| 400 - 980 | RMB1.639 | RMB32.78 |
| 1000 + | RMB1.349 | RMB26.98 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 725-8326
- 制造商零件编号:
- PMV213SN,215
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.9 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 250 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | SOT-23 (TO-236AB) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 高度 | 1mm | |
| 典型关断延迟时间 | 9.5 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 330 pF@ 20 V | |
| 尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 5.5 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.9 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 250 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 SOT-23 (TO-236AB) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2 W | ||
高度 1mm | ||
典型关断延迟时间 9.5 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3mm | ||
典型输入电容值@Vds 330 pF@ 20 V | ||
尺寸 3 x 1.4 x 1mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V | ||
宽度 1.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 5.5 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- CN