Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 870 mA, SOT-363, 贴片安装, 6引脚, PMGD280UN,115
- RS 库存编号:
- 725-8329P
- 制造商零件编号:
- PMGD280UN,115
- 制造商:
- NXP
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RMB193.00
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 180 | RMB1.71 |
| 200 - 380 | RMB1.53 |
| 400 - 980 | RMB1.34 |
| 1000 + | RMB1.23 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 725-8329P
- 制造商零件编号:
- PMGD280UN,115
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 870 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | SOT-363 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 340 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.45V | |
| 最大功率耗散 | 400 mW | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.89 nC @ 4.5 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 870 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 SOT-363 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 340 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最小栅阈值电压 0.45V | ||
最大功率耗散 400 mW | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.89 nC @ 4.5 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2.2mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 1.35mm | ||
高度 1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- MY