Nexperia P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 300 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, BSH201,215
- RS 库存编号:
- 725-8348
- 制造商零件编号:
- BSH201,215
- 制造商:
- NXP
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB1.73 | RMB34.60 |
| 100 - 180 | RMB1.123 | RMB22.46 |
| 200 - 380 | RMB1.103 | RMB22.06 |
| 400 - 980 | RMB0.966 | RMB19.32 |
| 1000 + | RMB0.801 | RMB16.02 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 725-8348
- 制造商零件编号:
- BSH201,215
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 300 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 2.5 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.9V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 417 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 3mm | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 300 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 2.5 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.9V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 417 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 3 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 3mm | ||
宽度 1.4mm | ||
高度 1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN