Dual N/P-Channel MOSFET, 230 mA, 340 mA, 300 V, 8-Pin SOIC Nexperia
- RS 库存编号:
- 725-8357P
- 制造商零件编号:
- PHC2300,118
- 制造商:
- NXP
可享批量折扣
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RMB96.80
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RMB109.375
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 45 | RMB3.872 |
| 50 - 95 | RMB3.87 |
| 100 - 245 | RMB2.718 |
| 250 + | RMB2.716 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 725-8357P
- 制造商零件编号:
- PHC2300,118
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 230 mA，340 mA | |
| 最大漏源电压 | 300 V | |
| 最大漏源电阻值 | 6 Ω，17 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.8 W | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.45mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.137 nC @ 10 V，6.24 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.45mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 102 pF@ 50 V, 45 pF@ 50 V | |
| 宽度 | 4mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 230 mA，340 mA | ||
最大漏源电压 300 V | ||
最大漏源电阻值 6 Ω，17 Ω | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 0.8V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.8 W | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
尺寸 5 x 4 x 1.45mm | ||
长度 5mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型栅极电荷@Vgs 2.137 nC @ 10 V，6.24 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.45mm | ||
典型输入电容值@Vds 102 pF@ 50 V, 45 pF@ 50 V | ||
宽度 4mm | ||
- COO (Country of Origin):
- TH