BSH121,135 , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.3 A, Vds=55 V, 3针 SC-70封装
- RS 库存编号:
- 725-8363
- 制造商零件编号:
- BSH121,135
- 制造商:
- NXP
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB26.10
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB0.522 | RMB26.10 |
| 250 - 450 | RMB0.405 | RMB20.25 |
| 500 - 950 | RMB0.369 | RMB18.45 |
| 1000 - 2450 | RMB0.333 | RMB16.65 |
| 2500 + | RMB0.318 | RMB15.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 725-8363
- 制造商零件编号:
- BSH121,135
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 300 mA | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-323 (SC-70) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 700 mW | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1 nC @ 8 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 17 pF@ 10 V | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 300 mA | ||
最大漏源电压 55 V | ||
最大漏源电阻值 4 Ω | ||
最大栅阈值电压 1.3V | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-323 (SC-70) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 700 mW | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 1 nC @ 8 V | ||
典型输入电容值@Vds 17 pF@ 10 V | ||
长度 2.2mm | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
高度 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.35mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
- COO (Country of Origin):
- MY