BSP220,115 P-Channel MOSFET, 225 mA, 200 V, 3+Tab-Pin SOT-223 Nexperia
- RS 库存编号:
- 725-8379
- 制造商零件编号:
- BSP220,115
- 制造商:
- NXP
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小计（1 包，共 10 件）*
RMB28.94
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB2.894 | RMB28.94 |
| 50 - 90 | RMB2.837 | RMB28.37 |
| 100 - 190 | RMB2.781 | RMB27.81 |
| 200 - 490 | RMB2.726 | RMB27.26 |
| 500 + | RMB2.586 | RMB25.86 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 725-8379
- 制造商零件编号:
- BSP220,115
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 225 mA | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 12Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 2.8V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3+Tab | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.5 W | |
| 高度 | 1.7mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.7mm | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 65 pF @ -25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 30 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 225 mA | ||
最大漏源电压 200 V | ||
最大漏源电阻值 12Ω | ||
最大栅阈值电压 2.8V | ||
最小栅阈值电压 0.8V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3+Tab | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.5 W | ||
高度 1.7mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.7mm | ||
尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm | ||
宽度 3.7mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 20 ns | ||
典型输入电容值@Vds 65 pF @ -25 V | ||
典型关断延迟时间 30 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- CN