安世半导体 N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 5.4 A, TSOP, 贴片安装, 6引脚, PMN38EN,135
- RS 库存编号:
- 725-8417
- 制造商零件编号:
- PMN38EN,135
- 制造商:
- NXP
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RMB28.00
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB2.80 | RMB28.00 |
| 50 - 90 | RMB2.327 | RMB23.27 |
| 100 - 190 | RMB2.093 | RMB20.93 |
| 200 - 490 | RMB1.82 | RMB18.20 |
| 500 + | RMB1.50 | RMB15.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 725-8417
- 制造商零件编号:
- PMN38EN,135
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5.4 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 38 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 1.75 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.1 nC @ 4.5 V | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5.4 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 TSOP | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 38 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 1.75 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.7mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.1 nC @ 4.5 V | ||
长度 3.1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY