International Rectifier MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=100 V, 5.7 A, 7引脚 DirectFET SJ封装
- RS 库存编号:
- 725-9183P
- 制造商零件编号:
- IRF6645TR1PBF
- 制造商:
- International Rectifier
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 18 | RMB16.60 |
| 20 - 38 | RMB14.90 |
| 40 - 98 | RMB13.00 |
| 100 + | RMB11.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 725-9183P
- 制造商零件编号:
- IRF6645TR1PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5.7 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | DirectFET SJ | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻值 | 35 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 3 W | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5.7 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 DirectFET SJ | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻值 35 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 3 W | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
