Infineon N沟道增强型MOSFET管, Vds=60 V, 84 A, D2PAK, 贴片安装, 3引脚, AUIRF1010EZS
- RS 库存编号:
- 725-9218
- 制造商零件编号:
- AUIRF1010EZS
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB29.71
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RMB33.572
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB14.855 | RMB29.71 |
| 10 - 18 | RMB11.525 | RMB23.05 |
| 20 - 38 | RMB10.355 | RMB20.71 |
| 40 - 98 | RMB9.005 | RMB18.01 |
| 100 + | RMB8.285 | RMB16.57 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 725-9218
- 制造商零件编号:
- AUIRF1010EZS
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 84 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 9 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 140 W | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 58 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 84 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 D2PAK | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 9 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 140 W | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.67mm | ||
宽度 9.65mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 4.83mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||