Infineon N沟道增强型MOSFET管, Vds=150 V, 5.1 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, IRF7815PBF
- RS 库存编号:
- 725-9230
- 制造商零件编号:
- IRF7815PBF
- 制造商:
- International Rectifier
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB54.40
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RMB61.45
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB10.88 | RMB54.40 |
| 25 - 45 | RMB5.604 | RMB28.02 |
| 50 - 95 | RMB5.494 | RMB27.47 |
| 100 - 245 | RMB4.724 | RMB23.62 |
| 250 + | RMB4.63 | RMB23.15 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 725-9230
- 制造商零件编号:
- IRF7815PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5.1 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 43 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 2500 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 4mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 5mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5.1 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 43 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 2500 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V | ||
宽度 4mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 5mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.5mm | ||