IRFH5406TR2PBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 11 A, Vds=60 V, 8针 QFN封装
- RS 库存编号:
- 725-9300
- 制造商零件编号:
- IRFH5406TR2PBF
- 制造商:
- International Rectifier
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB24.94
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB4.988 | RMB24.94 |
| 25 - 45 | RMB4.888 | RMB24.44 |
| 50 - 95 | RMB4.792 | RMB23.96 |
| 100 - 245 | RMB4.696 | RMB23.48 |
| 250 + | RMB4.604 | RMB23.02 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 725-9300
- 制造商零件编号:
- IRFH5406TR2PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 11 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 14 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | QFN | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 3.6 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1256 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 12 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 5.4 ns | |
| 长度 | 5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.81mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| 尺寸 | 5 x 6 x 0.81mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 宽度 | 6mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 11 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 14 mΩ | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 QFN | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 3.6 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型输入电容值@Vds 1256 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 12 ns | ||
典型接通延迟时间 5.4 ns | ||
长度 5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.81mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V | ||
尺寸 5 x 6 x 0.81mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
宽度 6mm | ||