Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 92 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRLB8748PBF
- RS 库存编号:
- 725-9329
- 制造商零件编号:
- IRLB8748PBF
- 制造商:
- International Rectifier
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB6.888 | RMB34.44 |
| 25 - 45 | RMB3.852 | RMB19.26 |
| 50 - 95 | RMB3.776 | RMB18.88 |
| 100 - 245 | RMB3.184 | RMB15.92 |
| 250 + | RMB3.182 | RMB15.91 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 725-9329
- 制造商零件编号:
- IRLB8748PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 92 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 5 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V | |
| 最大功率耗散 | 75000 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 4.5 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 9.02mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 92 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 5 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.35V | ||
最小栅阈值电压 1.35V | ||
最大功率耗散 75000 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.83mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.67mm | ||
高度 9.02mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||