Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 1.6 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, IRLML0100TRPBF
- RS 库存编号:
- 725-9350
- 制造商零件编号:
- IRLML0100TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB1.546 | RMB15.46 |
| 50 - 90 | RMB1.515 | RMB15.15 |
| 100 - 190 | RMB1.206 | RMB12.06 |
| 200 - 490 | RMB1.182 | RMB11.82 |
| 500 + | RMB1.158 | RMB11.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 725-9350
- 制造商零件编号:
- IRLML0100TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.6 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 235 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.5 nC @ 4.5 V | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.6 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 235 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 1.3 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 2.5 nC @ 4.5 V | ||
宽度 1.4mm | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 3.04mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.02mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||