IRFHM830DTRPBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 20 A, Vds=30 V, 8针 PQFN封装
- RS 库存编号:
- 737-7237
- 制造商零件编号:
- IRFHM830DTRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB45.01
(不含税)
RMB50.86
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB9.002 | RMB45.01 |
| 25 - 95 | RMB5.008 | RMB25.04 |
| 100 - 245 | RMB4.302 | RMB21.51 |
| 250 - 495 | RMB4.216 | RMB21.08 |
| 500 + | RMB4.128 | RMB20.64 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 737-7237
- 制造商零件编号:
- IRFHM830DTRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 20 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 7.1 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.8 W | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 1797 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 9.1 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 尺寸 | 3.3 x 3.3 x 1mm | |
| 典型接通延迟时间 | 9.8 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 20 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 7.1 mΩ | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PQFN | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.8 W | ||
宽度 3.3mm | ||
典型输入电容值@Vds 1797 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 9.1 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
系列 HEXFET | ||
高度 1mm | ||
长度 3.3mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
尺寸 3.3 x 3.3 x 1mm | ||
典型接通延迟时间 9.8 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||