IRFHM831TRPBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 14 A, Vds=30 V, 8针 PQFN封装
- RS 库存编号:
- 737-7240
- 制造商零件编号:
- IRFHM831TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB41.25
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RMB46.60
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB8.25 | RMB41.25 |
| 25 - 95 | RMB6.45 | RMB32.25 |
| 100 - 245 | RMB5.75 | RMB28.75 |
| 250 - 495 | RMB5.05 | RMB25.25 |
| 500 + | RMB4.61 | RMB23.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 737-7240
- 制造商零件编号:
- IRFHM831TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 14 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 12.6 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.3 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1050 pF@ 25 V | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型关断延迟时间 | 6.2 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 6.9 ns | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 尺寸 | 3.3 x 3.3 x 1mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 14 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 12.6 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.35V | ||
最小栅阈值电压 1.35V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PQFN | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 7.3 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 1050 pF@ 25 V | ||
宽度 3.3mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型关断延迟时间 6.2 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 6.9 ns | ||
长度 3.3mm | ||
系列 HEXFET | ||
尺寸 3.3 x 3.3 x 1mm | ||
高度 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||