IRFH6200TR2PBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 45 A, Vds=20 V, 8针 PQFN封装
- RS 库存编号:
- 737-7284
- 制造商零件编号:
- IRFH6200TR2PBF
- 制造商:
- International Rectifier
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小计（1 包，共 2 件）*
RMB35.86
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB17.93 | RMB35.86 |
| 10 - 38 | RMB11.65 | RMB23.30 |
| 40 - 98 | RMB10.59 | RMB21.18 |
| 100 - 198 | RMB9.095 | RMB18.19 |
| 200 + | RMB8.915 | RMB17.83 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 737-7284
- 制造商零件编号:
- IRFH6200TR2PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 45 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.5 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.1V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.5V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 3.6 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 10890 pF @ 10 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 155 nC @ 4.5 V | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 6 x 5 x 0.9mm | |
| 长度 | 6mm | |
| 典型关断延迟时间 | 140 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 45 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 1.5 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.1V | ||
最小栅阈值电压 0.5V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 PQFN | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 3.6 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 14 ns | ||
典型输入电容值@Vds 10890 pF @ 10 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 155 nC @ 4.5 V | ||
高度 0.9mm | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 6 x 5 x 0.9mm | ||
长度 6mm | ||
典型关断延迟时间 140 ns | ||