IRLHS6276TR2PBF, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 4.5 A, Vds=20 V, 8针 PQFN封装
- RS 库存编号:
- 737-7304
- 制造商零件编号:
- IRLHS6276TR2PBF
- 制造商:
- International Rectifier
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RMB20.79
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB2.079 | RMB20.79 |
| 20 - 90 | RMB2.038 | RMB20.38 |
| 100 - 190 | RMB1.997 | RMB19.97 |
| 200 - 490 | RMB1.958 | RMB19.58 |
| 500 + | RMB1.919 | RMB19.19 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 737-7304
- 制造商零件编号:
- IRLHS6276TR2PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4.5 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 62 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.1V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.5V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.5 W | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 2.1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.1 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 310 pF @ 10 V | |
| 典型接通延迟时间 | 4.4 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 10 ns | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2.1mm | |
| 尺寸 | 2.1 x 2.1 x 0.95mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4.5 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 62 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.1V | ||
最小栅阈值电压 0.5V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 PQFN | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.5 W | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 2.1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 3.1 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 310 pF @ 10 V | ||
典型接通延迟时间 4.4 ns | ||
典型关断延迟时间 10 ns | ||
高度 0.95mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2.1mm | ||
尺寸 2.1 x 2.1 x 0.95mm | ||