AUIRF7675M2TR1 , N沟道 MOSFET 晶体管, 18 A, Vds=150 V, 7针 DirectFET SB封装
- RS 库存编号:
- 737-7515P
- 制造商零件编号:
- AUIRF7675M2TR1
- 制造商:
- International Rectifier
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 38 | RMB12.20 |
| 40 - 98 | RMB11.00 |
| 100 - 198 | RMB9.55 |
| 200 + | RMB8.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 737-7515P
- 制造商零件编号:
- AUIRF7675M2TR1
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 56 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DirectFET SB | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 45 W | |
| 典型关断延迟时间 | 14 ns | |
| 尺寸 | 6.35 x 5.05 x 0.74mm | |
| 长度 | 6.35mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 0.74mm | |
| 宽度 | 5.05mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 系列 | DirectFET 2 | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1360 pF@ 25 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 18 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
最大漏源电阻值 56 mΩ | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DirectFET SB | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 45 W | ||
典型关断延迟时间 14 ns | ||
尺寸 6.35 x 5.05 x 0.74mm | ||
长度 6.35mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 0.74mm | ||
宽度 5.05mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
系列 DirectFET 2 | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1360 pF@ 25 V | ||