ALF08N16V , N沟道 MOSFET 晶体管, 8 A, Vds=160 V, 3针 TO-247封装
- RS 库存编号:
- 737-9561
- 制造商零件编号:
- ALF08N16V
- 制造商:
- Semelab
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB48.16 |
| 25 - 99 | RMB41.30 |
| 100 - 249 | RMB39.33 |
| 250 - 499 | RMB37.45 |
| 500 + | RMB34.88 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 737-9561
- 制造商零件编号:
- ALF08N16V
- 制造商:
- Semelab
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Semelab | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最大漏源电压 | 160 V | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 16.26 x 5.31 x 21.46mm | |
| 长度 | 16.26mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 21.46mm | |
| 宽度 | 5.31mm | |
| 典型关断延迟时间 | 50 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 500 pF V @ 10 | |
| 典型接通延迟时间 | 100 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Semelab | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8 A | ||
最大漏源电压 160 V | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 125 W | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 16.26 x 5.31 x 21.46mm | ||
长度 16.26mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 21.46mm | ||
宽度 5.31mm | ||
典型关断延迟时间 50 ns | ||
典型输入电容值@Vds 500 pF V @ 10 | ||
典型接通延迟时间 100 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- GB