ALF08P16K , P沟道 MOSFET 晶体管, 8 A, Vds=-160 V, 2针 TO-3封装
- RS 库存编号:
- 737-9577
- 制造商零件编号:
- ALF08P16K
- 制造商:
- Semelab
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB49.89 |
| 25 - 99 | RMB41.22 |
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| 250 - 499 | RMB37.39 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 737-9577
- 制造商零件编号:
- ALF08P16K
- 制造商:
- Semelab
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Semelab | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | -8 A | |
| 最大漏源电压 | -160 V | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | TO-3 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 高度 | 8.7mm | |
| 长度 | 39mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | ALFET | |
| 尺寸 | 39 x 25 x 8.7mm | |
| 宽度 | 25mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 120 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 700 pF V @ -10 | |
| 典型关断延迟时间 | 60 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Semelab | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 -8 A | ||
最大漏源电压 -160 V | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 TO-3 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 125 W | ||
高度 8.7mm | ||
长度 39mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 ALFET | ||
尺寸 39 x 25 x 8.7mm | ||
宽度 25mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 120 ns | ||
典型输入电容值@Vds 700 pF V @ -10 | ||
典型关断延迟时间 60 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- GB