ALF16N20W , N沟道 MOSFET 晶体管, 16 A, Vds=200 V, 3针 TO-264封装
- RS 库存编号:
- 737-9606
- 制造商零件编号:
- ALF16N20W
- 制造商:
- Semelab
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB196.92 |
| 25 - 99 | RMB187.54 |
| 100 - 249 | RMB178.61 |
| 250 - 499 | RMB170.10 |
| 500 + | RMB162.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 737-9606
- 制造商零件编号:
- ALF16N20W
- 制造商:
- Semelab
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Semelab | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 16 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-264 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 250 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 900 pF@ 10 V | |
| 宽度 | 5.21mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 90 ns | |
| 高度 | 26.49mm | |
| 典型接通延迟时间 | 155 ns | |
| 尺寸 | 26.49 x 5.21 x 26.49mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 26.49mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Semelab | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 16 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-264 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 250 W | ||
典型输入电容值@Vds 900 pF@ 10 V | ||
宽度 5.21mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 90 ns | ||
高度 26.49mm | ||
典型接通延迟时间 155 ns | ||
尺寸 26.49 x 5.21 x 26.49mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 26.49mm | ||
晶体管材料 Si | ||
- COO (Country of Origin):
- GB