ALF08NP16V5, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 8 A, Vds=±160 V, 5针 TO-247封装
- RS 库存编号:
- 737-9615
- 制造商零件编号:
- ALF08NP16V5
- 制造商:
- Semelab
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB97.66 |
| 25 - 99 | RMB83.87 |
| 100 - 249 | RMB79.87 |
| 250 - 499 | RMB76.06 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 737-9615
- 制造商零件编号:
- ALF08NP16V5
- 制造商:
- Semelab
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Semelab | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | ±8 A | |
| 最大漏源电压 | ±160 V | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 晶体管配置 | 共源 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 高度 | 21.44mm | |
| 长度 | 16.26mm | |
| 尺寸 | 16.26 x 5.28 x 21.44mm | |
| 宽度 | 5.28mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型接通延迟时间 | 100 (N-Channel) ns, 120 (P-Channel) ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 500 pF @ 10 V (N-Channel), 700 pF @ 10 V (P-Channel) | |
| 典型关断延迟时间 | 50 (N-Channel) ns, 60 (P-Channel) ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Semelab | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 ±8 A | ||
最大漏源电压 ±160 V | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 5 | ||
晶体管配置 共源 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
高度 21.44mm | ||
长度 16.26mm | ||
尺寸 16.26 x 5.28 x 21.44mm | ||
宽度 5.28mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型接通延迟时间 100 (N-Channel) ns, 120 (P-Channel) ns | ||
典型输入电容值@Vds 500 pF @ 10 V (N-Channel), 700 pF @ 10 V (P-Channel) | ||
典型关断延迟时间 50 (N-Channel) ns, 60 (P-Channel) ns | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- GB