ZXMS6004FFTA , N沟道 MOSFET 晶体管, 1.3 A, Vds=70 V, 3针 SOT-23F封装
- RS 库存编号:
- 738-5171
- 制造商零件编号:
- ZXMS6004FFTA
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计(1 包,共 5 件)*
RMB33.99
(不含税)
RMB38.41
(含税)
有库存
- 35 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB6.798 | RMB33.99 |
| 25 - 45 | RMB5.536 | RMB27.68 |
| 50 - 120 | RMB5.428 | RMB27.14 |
| 125 - 245 | RMB4.224 | RMB21.12 |
| 250 + | RMB4.166 | RMB20.83 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 738-5171
- 制造商零件编号:
- ZXMS6004FFTA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.3 A | |
| 最大漏源电压 | 70 V | |
| 最大漏源电阻值 | 600 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 封装类型 | SOT-23F | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 1.5 W | |
| 长度 | 3mm | |
| 尺寸 | 3 x 1.7 x 0.9mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 5000 ns | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 45000 ns | |
| 最高工作温度 | +125 °C | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 系列 | IntelliFET | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.3 A | ||
最大漏源电压 70 V | ||
最大漏源电阻值 600 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
封装类型 SOT-23F | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 1.5 W | ||
长度 3mm | ||
尺寸 3 x 1.7 x 0.9mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 5000 ns | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
典型关断延迟时间 45000 ns | ||
最高工作温度 +125 °C | ||
宽度 1.7mm | ||
系列 IntelliFET | ||
高度 0.9mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
